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本发明为一种具备纳米沟道的人工突触器件的制备方法。该方法以聚乙烯基咔唑和苯乙烯混合制得前驱体溶液,然后利用高分辨率电流体喷印设备在制备好的半导体层上打印出纳米线阵列,经蒸镀电极之后利用胶带将所制备的纳米阵列沿金属电极边缘撕下,得到纳米沟道。本发明制备的纳米沟道尺寸可控,排列整齐,可以应用于小尺寸电子器件,解决了现有技术制备电子器件尺寸限制的问题,具有操作简单、工艺简便、可大规模制备的优点,并且具备纳米沟道的人工突触器件的能量消耗被大大降低。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114597131 A
(43)申请公布日 2022.06.07
(21)申请号 202210215494.X
(22)申请日 2022.03.07
(71)申请人 南开大学
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