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2023-05-12 发布于北京
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非一致磁化的存储单元.pdf

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本发明提供了一种非一致磁化的存储单元。该存储单元包括自旋霍尔效应层以及位于自旋霍尔效应层的同一侧表面的两个并列的磁性隧道结，各磁性隧道结包括：沿远离自旋霍尔效应层的方向顺序层叠的自由层、势垒层和参考层，两个参考层具有固定的磁化方向，两个磁性隧道结具有不同形状，或者两个磁性隧道结形状相同且在自旋霍尔效应层上具有不同的设置方式，用于使两个磁性隧道结的易磁化轴的斜率正负相反，从而在自旋霍尔效应层通电后使两个自由层表现相反的磁化方向。上述两个磁性隧道结中的自由层在通电后无需外磁场，通过不同方向的电流，使

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114596890 A (43)申请公布日 2022.06.07 (21)申请号 202011391011.9 (22)申请日 2020.12.02 (71)申请人浙江驰拓科技有限公司地址 311