铁电场效应管存储器及其制造方法、操作方法及读写电路.pdfVIP

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2023-05-12 发布于北京
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铁电场效应管存储器及其制造方法、操作方法及读写电路.pdf

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本发明涉及一种铁电场效应管存储器及其制造方法、操作方法及读写电路，所述存储器包括：衬底；第一绝缘层，设于衬底上；鳍体，设于第一绝缘层上；第一栅，设于第一侧，包括第一栅极和设于第一栅极和鳍体之间的第一介质层；第二栅，设于第二侧，包括第二栅极、铁电层及第二介质层，铁电层和第二介质层设于第二栅极和鳍体之间，铁电层设于第二栅极和第二介质层之间；源极，设于第一端并与鳍体连接；漏极，设于第二端并与鳍体连接。本发明利用在双栅极上给铁电层施加极化翻转电压，相当于直接对铁电层与半导体鳍体施加极化翻转电压，可以一定

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114597219 A (43)申请公布日 2022.06.07 (21)申请号 202011400268.6 (22)申请日 2020.12.03 (71)申请人华润微电子控股有限公司地址 20