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本发明提供晶片的加工方法,能够解决在晶片内部沿着分割预定线形成改质层,磨削背面侧而分割成一个个器件芯片时,微细的大致三角形碎片从晶片的外周区域飞散而损伤器件芯片的问题。晶片的加工方法包含:改质层形成工序,将相对于晶片具有透射性的波长的激光光线的会聚点定位在分割预定线的内部进行照射以形成改质层;以及背面磨削工序,将晶片保持于磨削装置的卡盘工作台,对晶片背面进行磨削而使其薄化,并且借助从形成于分割预定线的内部的改质层朝向形成于晶片正面的分割预定线产生的裂纹,将晶片分割成一个个器件芯片。在该改质层形成
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114613725 A
(43)申请公布日 2022.06.10
(21)申请号 202011414820.7
(22)申请日 2020.12.07
(71)申请人 株式会社迪思科
地址 日本东京都
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