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本发明的目的在于使用切割刀切断半导体晶圆等工件与保护膜形成用膜而制造带保护膜的小片时,能够抑制产生崩边。本发明的保护膜形成用膜(1)包含填料(2),在该膜(1)的剖面观察中,将膜的总厚度设为T时,且将自膜的一侧的表面起至深度为0.2T为止的区域设为第一区域、将自膜的另一侧的表面起至深度为0.2T为止的区域设为第二区域,在第一区域中所观察到的填料的50%累计粒径D501与在第二区域中所观察到的填料的50%累计粒径D502,满足下述条件:D501
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114599517 A
(43)申请公布日 2022.06.07
(21)申请号 202080074351.0 (51)Int.Cl.
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