一种抗总剂量辐射效应的SOI LDMOS器件加固结构.pdfVIP

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2023-05-12 发布于北京
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一种抗总剂量辐射效应的SOI LDMOS器件加固结构.pdf

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本发明公开了一种抗总剂量辐射效应的SOILDMOS器件加固结构。本发明通过外延方法在埋氧层2的界面生长一层薄的N‑扩展层，该N‑扩展层可吸取因辐照在埋氧层引入固定正电荷镜像产生的电子；通过离子注入方法在浅槽隔离氧化层的下表面的拐角附近形成一个P保护区，该P保护区能够降低浅槽隔离拐角附近体硅内部电场峰值，从而提高器件的横向击穿电压；通过高能离子注入方法在漂移区形成一个P‑柱区15，该P‑柱区能够起到电导调制作用，在同一耐压条件下可以提高漂移区浓度对击穿电压的变化窗口。本发明在相同耐压条件下不但降

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114613843 A (43)申请公布日 2022.06.10 (21)申请号 202210247580.9 (22)申请日 2022.03.14 (71)申请人杭州电子科技大学地址 31001