切割晶粒接合一体型膜及其制造方法和半导体装置的制造方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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切割晶粒接合一体型膜及其制造方法和半导体装置的制造方法.pdf

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本发明公开一种切割晶粒接合一体型膜及其制造方法。切割晶粒接合一体型膜具备基材层、压敏胶黏剂层、及胶黏剂层，所述压敏胶黏剂层为具有与基材层相向的第1面及与其相反侧的第2面的、由活性能量射线固化型压敏胶黏剂组成的压敏胶黏剂层，所述胶黏剂层为以覆盖第2面的中央部的方式设置的胶黏剂层。活性能量射线固化型压敏胶黏剂包含具有可链聚合的官能团的(甲基)丙烯酸系树脂，官能团为选自丙烯酰基及甲基丙烯酰基的至少一种，(甲基)丙烯酸系树脂中的官能团的含量为0.4mmol/g以上。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114641849 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202080077253.2 (74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司