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描述了一种沟槽栅源极跟随器(TGSF)晶体管,例如用于与图像传感器像素集成。TGSF晶体管至少部分地构建在蚀刻到衬底中的沟槽中。在沟槽的内壁周围植入连续掺杂区域,以形成埋沟式电流通道。形成沟槽栅,以具有填充沟槽体积的至少埋入部分。可以在沟槽栅极的埋入部分和埋沟式电流通道之间设置栅氧化层。在沟槽栅的两端形成漏极区域和源极区域。激活沟槽栅导致电流经由沟槽栅极的埋入部分周围的埋沟式电流通道在栅极区域和源极区域之间流动。埋沟式电流通道的几何形状可以有效地增加源极跟随器晶体管的有源区域的宽度,而不增加其物
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114649360 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202210260010.3
(22)申请日 2022.03.16
(30)优先权数据
17/489,735 2021
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