包含碳掺杂GST的溅射靶及使用其制造电子器件的方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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包含碳掺杂GST的溅射靶及使用其制造电子器件的方法.pdf

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提供了一种溅射靶以及使用该溅射靶制造电子器件的方法。溅射靶可以包括碳掺杂的GeSbTe合金，其中，对于碳掺杂的GeSbTe合金，烧结后的GeSbTe合金的平均粒径在0.5μm至5μm的范围内，并且烧结后的碳的平均粒径Yμm相对于烧结后的GeSbTe合金的平均粒径的第一比率可以在大于0.5且小于或等于1.5的范围内。可选地，对于碳掺杂的GeSbTe合金，可以满足Y＝X×(Z/100)的条件，其中，烧结后的GeSbTe合金的平均粒径为Xμm，烧结后的碳的平均粒径为Yμm，并且碳含量为Zat％。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114635109 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202110766332.0 B22F 5/00 (2006.01)