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公开了具有屏蔽结构的SiC器件。一种半导体器件包括：SiC衬底；在SiC衬底中或SiC衬底上的并且在半导体器件的操作期间经受电场的器件结构；在SiC衬底中的邻接器件结构的第一导电类型的电流传导区；以及第二导电类型的屏蔽区，其在横向上相邻于电流传导区并且被配置为至少部分地屏蔽器件结构免受电场影响。屏蔽区具有比电流传导区高的净掺杂浓度，并且具有从与器件结构的底部对应的第一位置到与屏蔽区的底部对应的第二位置测量的长度(L)。电流传导区具有在电流传导区的相对的横向侧之间测量的宽度(d)，并且L/d在1至
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114649402 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202111569957.4 H01L 21/336 (2006.01)
(22)申请日 2021.12
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