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本发明公开了一种平面功率半导体器件，器件单元包括：形成于衬底上的第一外延层；栅极结构形成于第一外延层表面；源区和栅极结构的第一侧面自对准；漏区和栅极结构的第二侧面具有间隔；漂移区位于栅极结构的第二侧面和漏区之间；导电沟道由被栅极结构所覆盖的第一外延层表面反型时形成反型层组成；漂移区的掺杂浓度分布形成电荷平衡结构，在反偏时，电荷平衡结构使得漂移区被全部耗尽且表面电场分布均匀。本发明能实现漂移区的电荷平衡结构，从而能减小比导通电阻并大幅度减小器件在开通时的能量损耗，特别适用于氮化镓功率器件，能充分发
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114649397 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202011518527.5
(22)申请日 2020.12.21
(71)申请人 南通尚阳通集成电路有限公司
地址
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