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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层，栅极结构露出的基底上形成有第一层间介质层，第一层间介质层覆盖栅极结构的顶部；形成贯穿栅极结构之间的第一层间介质层的开口，开口露出源漏掺杂层；在开口内形成底部源漏插塞，底部源漏插塞的顶部低于开口的顶部，且底部源漏插塞的顶部高于栅极结构的顶部；在底部源漏插塞露出的开口侧壁形成刻蚀阻挡层；形成位于相邻刻蚀阻挡层之间且贯穿第一层间介质层的栅极接触孔，栅极接触孔底部露出栅极结构；形成位于相邻刻蚀
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114664818 A
(43)申请公布日 2022.06.24
(21)申请号 202011541274.3 H01L 21/8234 (2006.01)
(22)申请日 2020.1
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