具有用于提高串电流的导电结构的垂直沟道.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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具有用于提高串电流的导电结构的垂直沟道.pdf

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三维(3D)NAND的垂直沟道具有用于每个存储器单元的凹陷和填充的漏极/源极口袋区，以减小传统上具有高电阻的区中的电阻。垂直沟道传导电流，其电阻率通过一系列存储器单元进行控制。垂直沟道可以具有多晶硅材料以传导电流通过存储器单元栅极和存储器元件之间的漏极/源极区。凹陷可以使多晶硅延伸远离垂直沟道的中心并且更接近控制栅极。凹陷包括用于减小存储器单元栅极之间沿垂直沟道的漏极/源极区中的电阻的结构。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114639681 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202111354585.3 (22)申请日 2021.11.16 (30)优先权数据 17/123,451 2020