一种半导体器件的制造方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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一种半导体器件的制造方法.pdf

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本发明公开了一种半导体器件的制造方法。所述方法包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成有研磨阻挡层，在所述半导体衬底中形成有沟槽，所述沟槽中填充不同厚度的第一填充层，以获得不同纵深比的第一沟槽和第二沟槽；步骤S2：执行沉积工艺形成隔离材料层，所述隔离材料层覆盖所述半导体衬底的表面并填充剩余深度的所述第二沟槽；步骤S3：执行第一化学机械研磨工艺，以去除所述半导体衬底表面的所述隔离材料层。根据本发明，针对不同深宽比的沟槽的填充后的形成的台阶差，通过调整研磨液供给至研磨垫上的落点位置，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114664650 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202011408318.5 (22)申请日 2020.12.03 (71)申请人无锡华润上华科技有限公司地址 2