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本发明公开了一种干蚀刻设备。干蚀刻设备包括蚀刻腔、第一电极、上部基板、第二电极及支撑构件;其中,第一电极位于蚀刻腔的一侧;上部基板位于第一电极远离所述蚀刻腔的一侧;第二电极位于蚀刻腔的另一侧,与第一电极相对设置;支撑构件一侧与第一电极连接,另一侧与上部基板连接,支撑构件与第一电极或上部基板连接的外表面设有低阻层。本发明中支撑构件可以支撑第一电极与上部基板之间的连接,同时低阻层可以减少支撑构件与第一电极及上部基板之间的摩擦,减少摩擦产生的微粒,提升产品良品率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114649189 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202210292487.X
(22)申请日 2022.03.23
(71)申请人 深圳市华星光电半导体显示技术有
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