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掺杂型硅基材料及其制备方法、应用.pdf

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本发明涉及一种掺杂型硅基材料及其制备方法、应用。本发明的制备方法包括如下步骤:(1)硅基材料和原硅酸盐的混合物经加热后得到气体A,气体A在400‑1000℃下冷凝沉积,得到沉积物,其中,加热后体系的温度为800‑1500℃;硅基材料选自SiOx或经加热后能生成SiOx的硅源;(2)将沉积物在含碳源气体的气氛下进行气相沉积。本发明制备得到掺杂型硅基材料包括含硅基材料(Si、SiOx)及偏硅酸盐的复合物,复合物表面包覆一定厚度的碳沉积层。本发明的制备方法安全且硅晶粒尺寸可控,制得的掺杂型硅基材料应用

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114639814 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202210358752.X H01M 4/587 (2010.01) (22)申请日 2022.04.

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