发射率测量装置及方法、半导体加工设备及红外测温方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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发射率测量装置及方法、半导体加工设备及红外测温方法.pdf

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本申请公开一种发射率测量装置及方法、半导体加工设备及红外测温方法，发射率测量装置用于测量被测件的发射率，发射率测量装置中，反射件支撑件用于支撑第一反射件和第二反射件，第一反射件和第二反射件均与被测件相对；第一红外辐射能量计用于测量被测件发射的能量以及被测件发射的经过第一反射件反射的能量，第二红外辐射能量计用于测量被测件发射的能量以及被测件发射的经过第二反射件反射的能量；第一红外辐射能量计和第二红外辐射能量计均与计算元件相连，计算元件用于根据第一红外辐射能量计和第二红外辐射能量计的测量值计算被测件

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114636477 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202210359289.0 (22)申请日 2022.04.07 (71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司地址