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本发明涉及真空镀膜技术领域，尤其涉及减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置及方法，旨在解决镀膜过程中成膜载板上硅片背面被氧化和污染导致硅片成膜质量差，降低电池效率的问题。本发明提供的减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置包括基板、第一连接模块和第二连接模块；基板安装有电位发生器；基板处于成膜载板的下部时，以基板为第一基板；基板处于成膜载板的上部时，以基板为第二基板；第一连接模块用于控制电位发生器向第一基板施加正电位；第二连接模块用于控制电位发生器向第二基板施加负电位。通过控制电位发生器产生电场，利用电场对等离子
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114645256 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202210250332.X
(22)申请日 2022.03.14
(71)申请人 苏州迈为科技股份有限公司
地址 2
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