一种大面积高导电抗氧化MXene薄膜的制备方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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一种大面积高导电抗氧化MXene薄膜的制备方法.pdf

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本发明公开了一种大面积可用于电磁屏蔽的高导电抗氧化MXene薄膜，包括如下步骤：①将MAX陶瓷M金属粉末及其氧化物或氮化物按一定比例混合，加入过量Al粉，充分球磨煅烧，合成MAX相陶瓷材料；②在得到的MAX相陶瓷中加入盐酸和氢氟酸刻蚀，充分搅拌后用去离子水反复离心清洗，最后一次离心后倒掉上清液去除沉淀物，得到TI3C2多层沉淀物。将沉淀分散在LiCl溶液中充分搅拌然后用去离子水反复离心清洗，直至上清液pH为6，pH为6时，最后一次离心，取上层液。③将MXene用去离子水分散到预期浓度，然后将其滴

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114650717 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202011516443.8 (22)申请日 2020.12.21 (71)申请人苏州北科纳米科技有限公司地址 2