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2023-05-13 发布于北京
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实施方式的半导体装置具备：第一电极、第二电极、第一电极与第二电极之间的碳化硅层、在第1方向上延伸的第一栅极电极、第二栅极电极、以及第三栅极电极、以及在与第1方向交叉的第2方向上延伸并连接有第一栅极电极、第二栅极电极以及第三栅极电极的栅极布线，在将第一区域的第一栅极电极与第二栅极电极在第2方向上的间隔设为S1，将比第一区域靠近栅极布线的第二区域的第一栅极电极与第二栅极电极在第2方向上的间隔设为S2，将第一区域的第二栅极电极与第三栅极电极在第2方向上的间隔设为S3，将第二区域的第二栅极电极与第三栅极

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114639733 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202110651477.6 (22)申请日 2021.06.11 (30)优先权数据 2020-207693 202