半导体结构及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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半导体结构及其制作方法.pdf

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本申请提供一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构的制作方法包括：提供基底，基底中设置有多个间隔设置的有源区；去除部分基底，以在基底中形成凹槽，凹槽中至少暴露有源区；在凹槽中与有源区对应的区域上形成位线接触结构；在凹槽上形成介质层，介质层与位线接触结构的侧壁之间形成有顶部开口的空隙；在位线接触结构上形成位线，位线封堵空隙的开口。本申请提供的半导体结构的制作方法能够减小位线接触结构与存储节点接触结构之间的寄生电容，从而提高半导体结构的工作可靠性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649270 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202210201828.8 (22)申请日 2022.03.02 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 230