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本发明提供了一种下电极组件及所处的等离子体处理装置，本发明通过在基座和边缘环组件之间设置保护环来覆盖焊接线和基座上的螺孔，同时将边缘环组件与基座之间的间隙减小，以及在基座外侧设置保护层，避免了基片和聚焦环上方的等离子体泄漏到基座与边缘环组件之间的间隙内，防止了等离子体腐蚀基座及其附属配件，降低了下电极组件可能出现的电弧放电的可能性，并且阻挡保护层覆盖不足的焊接线和基座上螺孔处产生电弧的概率，有效的保证了下电极组件的使用安全。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114649178 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202011500437.3
(22)申请日 2020.12.18
(71)申请人 中微半导体设备（上海）股份有限公
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