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一种半导体制造方法、半导体器件和半导体模块。该方法包括:在衬底上提供堆叠体,堆叠体包括多个器件层,器件层包括导电层;使用蚀刻来图案化堆叠体以形成延伸穿过其的沟槽和沟槽之间的柱体;在沟槽的侧壁上提供含碳衬层;在提供含碳衬层之后,对堆叠体进行湿法清洁和干燥;用一种或多种材料填充柱体之间的空间;以及将接触线电耦接到导电层以形成半导体器件。含碳衬层可包括碳掺杂衬层,例如碳掺杂氧化物衬层,其通过在约100摄氏度至约300摄氏度之间的温度下使用碳作为前体而进行氧化物的原子层沉积来提供。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114649339 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202111310099.1
(22)申请日 2021.11.02
(30)优先权数据
17/110,007 2020
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