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描述了具有拥有高锗含量的浓缩源极或漏极结构的集成电路结构。在示例中，一种集成电路结构包括水平纳米线的垂直布置。栅极堆叠体在水平纳米线的垂直布置周围。第一外延源极或漏极结构在水平纳米线的垂直布置的第一端部处。第二外延源极或漏极结构在水平纳米线的垂直布置的第二端部处。第一外延源极或漏极结构和第二外延源极或漏极结构中的每者包括硅和锗，其中，锗原子浓度在外延源极或漏极结构的核心处比在外延源极或漏极结构的外围处高。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114649209 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202111376006.5 H01L 29/78 (2006.01)
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