一种半绝缘砷化镓单晶体及其制备方法和生长装置.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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一种半绝缘砷化镓单晶体及其制备方法和生长装置.pdf

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本申请公开了一种半绝缘砷化镓单晶体及其制备方法和生长装置，制备方法包括：S1:将晶体原料放入PBN坩埚并转移至石英坩埚内；将石墨放入石英帽，然后与石英坩埚密封连接；S2:密封连接后装载至VGF单晶炉，且石英帽与石英坩埚位于不同温区；S3:使石英坩埚所在温区升温至化料温度，同时控制石英帽所在温区升温至1000±50℃；S4:石英坩埚所在温区于化料温度下保温化料，控制石英帽所在温区升温至1200±50℃并保温4～50h；S5:控制石英帽所在温区降温至1000℃±50℃并保温，进行气氛掺杂，晶体生长；

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114635180 B (45)授权公告日 2022.08.09 (21)申请号 202210542555.3 审查员邓生达 (22)申请日 2022.05.19