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本申请公开了一种半绝缘砷化镓单晶体及其制备方法和生长装置,制备方法包括:S1:将晶体原料放入PBN坩埚并转移至石英坩埚内;将石墨放入石英帽,然后与石英坩埚密封连接;S2:密封连接后装载至VGF单晶炉,且石英帽与石英坩埚位于不同温区;S3:使石英坩埚所在温区升温至化料温度,同时控制石英帽所在温区升温至1000±50℃;S4:石英坩埚所在温区于化料温度下保温化料,控制石英帽所在温区升温至1200±50℃并保温4~50h;S5:控制石英帽所在温区降温至1000℃±50℃并保温,进行气氛掺杂,晶体生长;
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 114635180 B
(45)授权公告日 2022.08.09
(21)申请号 202210542555.3 审查员 邓生达
(22)申请日 2022.05.19
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