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本发明涉及一种层环栅纳米线/片CMOS结构,包括:衬底;衬底上设置有串行连接的nMOS和pMOS;nMOS包括第一纳米体结构和环绕第一纳米体结构的第一栅电极,pMOS包括第二纳米体结构和环绕第二纳米体结构的第二栅电极;第一纳米体结构和第二纳米体结构设置于相邻的两层且由相同导电类型的半导体材料形成;第一栅电极与第二栅电极由相同功函数的导电材料形成;衬底材料为体Si或SOI;第一纳米体结构的材料为Si,第二纳米体结构的材料为SiGe。本发明nMOS和pMOS的纳米体由相同导电类型的半导体材料形成,栅
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114628384 A
(43)申请公布日 2022.06.14
(21)申请号 202111462244.8
(22)申请日 2021.12.02
(66)本国优先权数据
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