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本公开提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构。所述半导体结构的制备方法包括:提供一衬底,所述衬底包括第一区域、第二区域和隔离结构,所述隔离结构位于所述第一区域和第二区域之间;所述隔离结构的部分表面形成第一凸起;在所述第一区域上形成第一栅介质层,去除所述第一凸起,在所述第二区域上形成第二栅介质层;在所述第一栅介质层形成第一栅极;在所述第二栅介质层形成第二栅极。所述半导体结构包括:衬底,包括第一区域、第二区域和隔离结构;第一栅介质层和第二栅介质层,分别位于所述第一区域和第二区域上方;第一栅极和第二
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114649267 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202210247280.0
(22)申请日 2022.03.14
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 230
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