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本发明公开了一种改善刻蚀速率的处理方法及等离子体处理装置，该处理方法包含：将零部件置于一真空反应腔；将一热氧化处理的硅晶圆置于该真空反应腔内；生成高致密性硅薄膜：向真空反应腔内通入有机刻蚀气体；向真空反应腔施加一射频信号，射频信号将所述有机刻蚀气体激发为等离子体，该等离子体轰击硅晶圆，生成高致密性硅薄膜覆盖在零部件表面。本发明采用非常低成本的处理气体和镀膜工艺，实现了气体喷淋头等刻蚀腔内可能接触到等离子体的零部件的均匀镀膜，隔绝了零部件的Y2O3涂层或Al2O3/SiC涂层与等离子体的直接接触，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114649180 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202011515986.8
(22)申请日 2020.12.21
(71)申请人 中微半导体设备（上海）股份有限公
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