半导体存储装置.pdfVIP

下载本文档

0
0
约5.34万字
约 51页
2023-05-13 发布于北京
举报
版权申诉

半导体存储装置.pdf

1、本文档共51页，其中可免费阅读50页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明的一实施方式提供一种能抑制写入速度的降低且能提高数据的可靠性的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置包含多个存储单元晶体管、字线、多个位线、控制器。字线连接于多个存储单元晶体管。多个位线分别连接于多个存储单元晶体管。控制器执行写入动作，该写入动作反复执行包含编程动作与验证动作的编程循环。控制器在第1数据的验证动作中，对字线施加第1数据的验证高电压的期间，判定供写入第1数据的存储单元晶体管是否超过第1数据的验证高电压，且判定供写入第2数据的存储单元晶体管是否超过第2数据的验证低电压。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114639428 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202110766118.5 (22)申请日 2021.07.07 (30)优先权数据 2020-208454 202