包括过硅通孔结构的半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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包括过硅通孔结构的半导体装置及其制造方法.pdf

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本公开涉及一种包括过硅通孔结构的半导体装置及其制造方法。半导体装置可以包括通路孔、第一电极、第二电极和第一保护绝缘层。通路孔可以形成为穿透基板。第一电极可以包括形成在通路孔的表面上的电极段。第二电极可以沿着通路孔的表面形成在第一电极上。第二电极可以包括被放置在基板的表面下方的两端。第一保护绝缘层可以沿着通路孔的表面形成在第二电极上。第一保护绝缘层可以包括从第二电极的两端向上突出的两端。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649300 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202110829305.3 (22)申请日 2021.07.22 (30)优先权数据 10-2020-0179951