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本公开涉及一种沟槽型半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括衬底(101)、外延层(102)、阱区层(103)、势阱层(104)、势垒层(105)、绝缘栅介质层(106)、栅电极层(108)、层间介质ILD层(109)、源极层(110)和漏极层(111)。其中,所诉势阱层(104)和势垒层(105)的极化效应在交界面形成2DEG或2DHG。该沟槽型半导体器件利用异质结形成的2DEG或2DHG作为沟道载流子。势阱层和势垒层之间的界面平行于栅电极层指向漏极层的方向,使得沟槽结构尺寸更小,加上2DE
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114649410 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202011519449.0
(22)申请日 2020.12.21
(71)申请人 比亚迪半导体股份有限公司
地址 5
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