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本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，提供初始衬底，所述初始衬底表面包括相邻的阱区和漂移区，其中，以所述阱区和与所述漂移区朝向所述阱区的部分区域为鳍部区，以所述漂移区背离所述阱区的部分区域为平台区；在所述鳍部区内去除部分区域的部分厚度的初始衬底，形成衬底、鳍部和与所述鳍部邻接的平台，其中，以剩余厚度的初始衬底为衬底，以所述鳍部区内凸出于所述衬底的初始衬底为鳍部，以所述平台区内凸出于所述衬底的初始衬底为平台；形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分漂移区和部分阱区；在所述阱区内形成源
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114664662 A
(43)申请公布日 2022.06.24
(21)申请号 202011547633.6 H01L 29/06 (2006.01)
(22)申请日 2020.12.
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