三维存储器元件及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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三维存储器元件及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种三维存储器元件及其制造方法，三维存储器元件包括多个块元，且各块元包括多个区块，而各区块包括栅极堆叠结构、导体层、多个第一环状通道柱、多个源极/漏极柱以及多个电荷储存结构。栅极堆叠结构设置于基底上且包括彼此电性绝缘的多个栅极层。导体层设置于基底和栅极堆叠结构之间。第一环状通道柱设置于基底上且位于栅极堆叠结构中。源极/漏极柱设置于基底上且每个第一环状通道柱中配置有两个源极/漏极柱。每个电荷储存结构设置于对应的栅极层与对应的第一环状通道柱之间。多个块元中的一个的导体层与多个块元中的另一

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649340 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202011586692.4 H01L 27/11568 (2017.01)