半导体结构的制备方法、自支撑氮化镓层及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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半导体结构的制备方法、自支撑氮化镓层及其制备方法.pdf

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本申请涉及一种半导体结构的制备方法、自支撑氮化镓层及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供异质衬底；于异质衬底的背面形成膜层，膜层的热膨胀系数小于异质衬底的热膨胀系数；将异质衬底及膜层加热至氮化镓生长温度，异质衬底向正面凸起，以使得异质衬底的正面为凸起正面；并于氮化镓生长温度下在异质衬底的凸起正面形成氮化镓层，氮化镓层呈凸起状。该半导体结构的制备方法通过在形成氮化镓层之前，先于异质衬底的背面形成热膨胀系数小于异质衬底的膜层，能够制备凸起型的异质衬底，使得后续能够在凸起型的异质衬底形成氮化镓

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649198 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202210238505.6 C23C 16/30 (2006.01) (22)申请日 2022.03.