CMOS成像传感器及相关制造方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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CMOS成像传感器及相关制造方法.pdf

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描述了一种CMOS成像传感器及相关制造方法。CMOS图像传感器像素的像素内电路系统内集成有鞍形栅极源极跟随器晶体管。鞍形栅极源极跟随器晶体管结构可以包括具有由沟槽在其轴向侧上限定的三维几何形状的沟道区。在沟道区的顶部和轴向侧上方形成栅极氧化层，并且在栅极氧化层上形成鞍形栅极结构。因此，鞍形栅极结构包括在沟道区的顶部上方延伸的座部，以及在沟道区的第一和第二轴向侧上方延伸的第一和第二防护部，使得第一和第二防护部被掩埋在半导体衬底的上表面的下方(例如，掩埋在侧隔离区中形成的沟槽中)。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649358 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202111534915.7 (22)申请日 2021.12.15 (30)优先权数据 63/127,494 2020