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本发明公开了一种Flash存储器的数据读写方法、系统以及介质、设备,方法包括:确定向Flash存储器写入数据,获取当前写入片区;检测到当前写入片区的存储空间不满足待写入数据的存储需求,根据当前写入片区确定目标写入片区,并将当前写入片区的状态值从使用中调整为已满;将待写入数据写入目标写入片区;检测到需要擦除状态值为已满的片区,擦除状态值为已满的片区中的数据。该数据读写方法可大大减少Flash存储器的擦除次数,提高了Flash存储器的使用寿命。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114637469 A
(43)申请公布日 2022.06.17
(21)申请号 202210283860.5
(22)申请日 2022.03.21
(71)申请人 上海美仁半导体有限公司
地址 20
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