半导体结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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半导体结构及其制造方法.pdf

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半导体结构包括第一finfet单元和第二finfet单元。第一finfet单元的每个具有根据模拟电路设计规则的模拟鳍边界，并且第二finfet单元的每个具有根据数字电路设计规则的数字鳍边界。半导体结构还包括形成有第一finfet单元的第一电路、形成有第二finfet单元的第二电路以及形成有第一finfet单元中的一个或多个和第二finfet单元中的一个或多个的第三电路。本申请的实施例还涉及制造半导体结构的方法。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649330 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202210191057.9 H01L 27/02 (2006.01)