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在一些实施例中,本公开涉及一种集成芯片及其形成方法。所述集成芯片包括设置在衬底上方的介电堆叠。所述介电堆叠具有交错在第二多个层之间的第一多个层。所述介电堆叠具有一个或多个表面,所述一个或多个表面界定在对应于所述第二多个层的不同垂直高度处凹入所述介电堆叠一侧中的多个凹口。电容器结构衬于所述介电堆叠的所述一个或多个表面上。所述电容器结构包括由电容器介电质分开的导电电极。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114664786 A
(43)申请公布日 2022.06.24
(21)申请号 202110953825.5 H01L 21/768 (2006.01)
(22)申请日 2021.08
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