一种半导体-氧化物界面电荷测量仪及其测量方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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一种半导体-氧化物界面电荷测量仪及其测量方法.pdf

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本发明涉及一种半导体‑氧化物界面电荷测量仪及其测量方法，所述测量仪包括：光源(1)、探针测试装置(2)和测量组件(3)；所述光源(1)，用于照射待测芯片；所述探针测试装置(2)，用于承载待测芯片，并通过探针测试装置(2)实现待测芯片与测量组件(3)的连接；所述测量组件(3)，与探针测试装置(2)连接，用于测量待测芯片的电容‑电压曲线，还用于根据所述电容‑电压曲线计算待测芯片的半导体‑氧化物深能级界面电荷密度。本发明提供的技术方案提高了半导体‑氧化物界面电荷测量的准确性，进而可以更加精确的对工艺质

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114646817 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202011514735.8 (22)申请日 2020.12.21 (71)申请人全球能源互联网研究院有限公司地址