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本公开涉及一种沟槽栅半导体器件及其制备方法。所述沟槽栅半导体器件从下到上依次包括漏极金属区(122)、第一导电类型的衬底区(101)、第一导电类型的外延区(102)、有源区(100)和源极金属区(121),其中,所述有源区(100)包括位于沟槽(106)底部的第二导电类型的屏蔽区(107),且所述第二导电类型的屏蔽区(107)中设置有沟道。通过在沟槽栅半导体器件的沟槽底部的第二导电类型的屏蔽区中也形成沟道,能够增加导电通道,提高器件的沟道密度,从而有效降低沟槽栅半导体器件的导通电阻,同时屏蔽区中
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114664931 A
(43)申请公布日 2022.06.24
(21)申请号 202011539995.0
(22)申请日 2020.12.23
(71)申请人 比亚迪半导体股份有限公司
地址 5
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