半导体结构的形成方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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半导体结构的形成方法.pdf

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一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括衬底和位于衬底上的沟道材料层，衬底包括器件区和掩埋电源轨区；在器件区的基底上形成掩膜侧墙；在掩埋电源轨区的基底中形成沟槽，沟槽底部延伸至衬底中；在沟槽中形成掩埋电源轨结构，掩埋电源轨结构顶部低于沟道材料层顶部；形成掩埋电源轨结构后，以掩膜侧墙为掩膜刻蚀基底，将沟道材料层图形化为沟道结构层；形成沟道结构层后，在衬底上形成隔离层，将掩埋电源轨结构掩埋在内。本发明先形成掩埋电源轨结构，再形成沟道结构层，从而采用一次隔离层形成制程，简化了工艺步骤，且由于形成

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114664735 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202011541265.4 (22)申请日 2020.12.23 (71)申请人中芯国际集成电路制