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本发明实施例涉及半导体器件的触点及其形成方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体器件包括衬底上的第一栅极电极、所述第一栅极电极上的第一导电触点、所述第一导电触点上的蚀刻停止层ESL及延伸穿过所述ESL的第二导电触点。所述第一导电触点具有第一宽度。所述第二导电触点具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度。所述ESL悬在所述第二导电触点的一部分上。所述第二导电触点的凸底面物理地接触所述第一导电触点的凹顶面。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114649269 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202210040756.3
(22)申请日 2022.01.14
(30)优先权数据
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