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公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以包括:模制结构,包括交替地堆叠在第一基底上的模制绝缘膜和栅电极;沟道结构,穿透模制结构并且与栅电极相交;块分离区域,沿与第一基底的上表面平行的第一方向延伸并且切割模制结构;第一坝区域和第二坝区域,彼此间隔开,在平面图中均具有闭合环并且均切割模制结构;垫绝缘膜,位于第一坝区域和第二坝区域中,与模制绝缘膜交替地堆叠,并且包括与模制绝缘膜的材料不同的材料;以及贯穿过孔,穿过第一基底、模制绝缘膜和垫绝缘膜,位于位于第一坝区域中但是不位于第二坝区域中。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114639684 A
(43)申请公布日 2022.06.17
(21)申请号 202111534109.X
(22)申请日 2021.12.15
(30)优先权数据
10-2020-0174976
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