一种核桃状中空硫化铜半导体材料及制备方法和应用.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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一种核桃状中空硫化铜半导体材料及制备方法和应用.pdf

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本发明属于化学合成技术领域，具体涉及一种核桃状中空硫化铜半导体材料及制备方法和应用。以废弃金属氧化物脱硫剂在酸性条件下生成的硫化氢为硫源及气泡软模板，以聚乙烯吡咯烷酮为分散剂，经一步水热反应，自组装生长成表面粗糙的核桃状中空结构。还包括一种核桃状中空硫化铜半导体材料的制备方法，所述材料用于光催化降解亚甲基蓝，根据Beer‑Lambert定律对有机染料的降解脱色进行光催化活性检测。本发明制得的硫化铜半导体材料具有优异的光催化降解有机染料性能，有望在光催化剂、荧光材料、太阳能电池和传感器等领域得到广

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114620761 A (43)申请公布日 2022.06.14 (21)申请号 202210354823.9 (22)申请日 2022.03.27 (71)申请人曲阜师范大学地址 273165