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本发明公开了一种高线性度GaNHEMT射频功率放大器电路,设置多个GaNHEMT管芯,每个GaNHEMT管芯的漏极连接在一起作为输出端,每个GaNHEMT管芯的栅极连接在一起作为输入端,每个GaNHEMT管芯的源极接地,其中,输出端并接谐振网络,每个GaNHEMT管芯栅极均并接第一电感L1和第二电感L2。采用本发明的技术方案,将GaNHEMT管芯并联,在并接的漏极端口到地并联一个谐振网络以及在每个GaNHEMT管芯的栅极端口并联两个到地电感,从而利用电路结构的优化消除寄生电容的影
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114650020 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202210111211.7 H01L 29/778 (2006.01)
(22)申请日 2022.01
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