半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一承载晶圆，所述承载晶圆上覆盖有第一介质层；形成沟槽于所述第一介质层中；填充粘结层于所述沟槽中，所述粘结层的顶表面低于所述第一介质层的顶表面；以及，将第一芯片放置在所述沟槽中的粘结层上，并固化所述粘结层。本发明的技术方案能够将第一芯片正常的固定在承载晶圆上，避免第一芯片后续与其他芯片或晶圆之间的混合键合异常。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649225 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202011502391.9 (22)申请日 2020.12.17 (71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司地址