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本发明提供一种低损耗的YIG材料及制备方法,材料结构式为Y2.7Ca0.3Fe(4.7‑x)Sn0.3O12,其中,0≤x≤0.325。制备方法包括以下步骤:(1)预烧料的制备:(2)二次球磨;(3)成型,烧结:1.本发明采用Sn4+离子取代八面体位的Fe3+以降低各向异性常数和铁磁共振线宽。同时,对于缺铁量设置梯度,以降低八面体(a位)和四面体(d位)间的铁离子之间的电子转移,从而降低材料的介电损耗。最终得到了低成本样品且其铁磁共振线宽为127Oe,介电常数为15.6,介电损耗正切为4×10‑
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114644516 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202210284071.3
(22)申请日 2022.03.22
(71)申请人 电子科技大学
地址 61
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