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本发明属于靶材锻造技术领域,公开了一种半导体钽靶材及其锻造方法。取钽锭在变形量20%~40%,单次变形量控制在≤10%的多道次小变形量条件下镦粗拔长,然后酸洗,将酸洗后的钽锭在1250~1400℃进行第一次真空热处理;再次重复镦粗拔长和酸洗后在950~1150℃温度下进行第二次真空热处理;再次重复镦粗拔长、酸洗和950~1150℃真空热处理两次,得到所述半导体钽靶材。本发明通过四次镦粗拔长锻造方式,采用合理的多道次小变形量,压实了疏松组织,焊合了微观孔洞,增大钽靶坯的致密度。所得半导体钽靶材的平
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114645253 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202210234356.6 B21J 5/00 (2006.01)
(22)申请日 2022.03.0
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