氧化镓场效应晶体管.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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氧化镓场效应晶体管.pdf

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本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种具有垂直结构的氧化镓场效应晶体管，该氧化镓场效应晶体管具有增强型结构。本发明在场效应管结构设计上，利用p型材料层与氧化镓漂移层组成的异质pn结产生的耗尽区来关闭导电通道的一部分，从而形成常关型器件；且在第一氧化镓漂移层上利用同质外延生长的第二氧化镓漂移层以及在氧化镓绝缘层上利用同质外延生长的氧化镓层，可降低氧化镓场效应晶体管的电能损耗，提升可靠性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114639736 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202210138148.6 (22)申请日 2022.02.15 (71)申请人广州华瑞升阳投资有限公司地址 5