集成标准单元的设置.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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集成标准单元的设置.pdf

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本公开涉及集成标准单元的设置。集成电路包括至少一个第一标准单元，该至少一个第一标准单元由两个第二标准单元框定。该三个单元被彼此相邻设置，并且每个标准单元包括位于绝缘体上硅(silicon‑on‑insulator，SOI)衬底中和上的至少一个NMOS晶体管和至少一个PMOS晶体管。第一标准单元的至少一个PMOS晶体管具有包括硅和锗的沟道。每个第二标准单元的至少一个PMOS晶体管具有硅沟道，每个第二标准单元的至少一个PMOS晶体管的阈值电压与所述第一单元的至少一个PMOS晶体管的阈值电压在绝对值上

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649325 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202111546019.2 (22)申请日 2021.12.16 (30)优先权数据